Halbleiterchemie

Forschungsarbeiten des Arbeitskreises Halbleiterchemie konzentrieren sich auf die Synthese und die Epitaxie von A^IIIB^V-Halbleitermaterialien mit definierten strukturellen, kristallographischen und physikalischen Eigenschaften. In Kooperation mit dem Institut für experimentelle Physik II (Abt. Halbleiterphysik und Festkörperoptik) und dem Institut für Oberflächenmodifizierung e.V. erfolgt die physikalische Charakterisierung des epitaktischen Materials und der bauelementorientierte Eignungsnachweis der mit der MOVPE erzeugten Halbleiterstrukturen.

Schwerpunkte der Gasphasenepitaxie (MOVPE, metal-organic vapour-phase epitaxy) sind:

die Synthese von metastabilen kubischen Ga_xIn_1-xN_yAs_1-y- und B_xGa_1-x-yIn_yAs- Mischkristallschichten als zukünftiges Material für Detektoren und Emitter,
die gezielte Beeinflussung der MOVPE-Wachstumsvorgänge durch den Einsatz neuartiger und weniger toxischer Ausgangsverbindungen (Tertiärbutylarsin, Ditertiärbutylarsin, Diethyltertiärbutylarsin, Tertiärbutylphosphin, 1,1-Dimethylhydrazin)
die Ermittlung der Wachstumsvorgänge von ultradünnen isovalenten III-V-Halbleiterschichten (Monolagenwachstum von InAs, GaAs, AlAs, GaP, InP).

Die Arbeiten zur plasmaunterstützten Gasphasenabscheidung (PECVD, plasma enhanced chemical vapour deposition) von a-Si, SiO_x, SiN_x zielen auf Einsatz als Mehrschichtanordnungen in Bragg-Reflektoren.

Nichtgleichgewichts- und Phasendiagrammbetrachtungen stehen im Mittelpunkt der Arbeiten zur Flüssigphasenepitaxie (LPE, liquid phase epitaxy).

Kooperationsbeziehungen innerhalb der FAHL (Fächerübergreifenden Arbeitsgemeinschaft Halbleiter) bestehen zum: