Untersuchung von Festkörperoberflächen mit dem Raster-Kraft-Mikroskop
Betreuer: Prof. Dr. Michael Lorenz, Wolfram Fritzsche
Die Rasterkraft-Mikroskopie (AFM) hat
gegenüber der Raster-Tunnel-Mikroskopie den Vorzug, auch für elektrisch
isolierende Proben anwendbar zu sein. Außerdem ist der laterale und der
vertikale Scanbereich wesentlich größer. In diesem Experiment werden
eine Reihe von Proben mit Oberflächenstrukturen im Mikro- und
Nanometer-Bereich wie Speicherschaltkreise, Eichgitter, CD-ROM, ein
optisches Gitter und granulare, nanokristalline Dünnfilme mit dem AFM
Easy Scan im contact mode untersucht.
Als methodische Grundlage werden die repulsiven und attraktiven
Wechselwirkungspotenziale Spitze – Probe bei Abständen im
nm-Bereich betrachtet. Weiter wird die Wirkungsweise des AFM – Gerätes,
der Einfluss der Federkonstanten des Cantilevers und die statischen und
dynamischen Betriebsmodi contact mode und tapping mode
dargestellt. Zum Vergleich der Ortsauflösung werden die gleichen
Proben an einem Auflichtmikroskop untersucht.
Das Experiment vermittelt einen umfassenden praktischen Eindruck der
Möglichkeiten und Grenzen der Oberflächenuntersuchung mit einem AFM.
