Versuche

1. Kernmagnetische Resonanz
2. Optisches Pumpen
3. Dopplerfreie Rb-Sättigungs­spektros­kopie
4. Zeeman-Effekt
5. Elektronen-Para­magnetische Resonanz
 
6. Rotations-Schwingungs­spektren von Molekülen 
7. Gitterschwingungen und Effekte freier Ladungsträger in Festkörpern
8. Optische Spektroskopie an Farbzentren und Molekülen
9. Raman-Spektroskopie
 
10. Röntgenstruktur­analyse von poly­kristallinen Massivproben und dünnen Schichten
11. Röntgenbeugung II (Philips X'Pert)
12. Untersuchung von Festkörper­oberflächen mit dem Raster-Tunnel-Mikroskop
13. Untersuchung von Festkörper­oberflächen mit dem Raster-Kraft-Mikroskop
 
14. Hochauflösende Gamma­spektroskopie mit dem Ge-Halbleiter-Detektor
15. Alpha-Teilchen-Spektros­kopie mit einem Halbleiter­detektor
16. Massen­spektro­metrie von Gasen und einfachen organischen Molekülen
17. Franck-Hertz-Versuch
 
18. Computerbasierte Echtzeit-Regelung

19. Hall-Effekt und elektrische Leitfähig­keit
20. Elektro- und Photolumineszenz
21. Fourier-Transform-Infrarot-Spektroskopie an Festkörpern
22. Gamma-Spektroskopie mit dem Szintillations­detektor
 
Versuch 19

Hall-Effekt und elektrische Leitfähigkeit

Betreuer: Prof. Dr. Michael Lorenz, Wolfram Fritzsche


An Halbleiterproben werden elektrische und galvanomagnetische Messungen durchgeführt, um charakteristische Parameter, wie den spezifischen Widerstand, den Hall-Koeffizienten, die Konzentration und die Beweglichkeit der Ladungsträger zu bestimmen.

a) Die Messungen bei Raumtemperatur an n- und p-leitenden Silizium-Proben definierter Geometrie dienen

Die geometrischen Abmessungen der Probe werden mit einer CCD-Kamera ermittelt.

b) Die Messungen im Temperaturbereich von 77 K bis 300 K an GaAs-Proben nach van der Pauw liefern die Temperaturabhängigkeit


Versuchsunterlagen